轻松奔向更高内存频率 第十一代酷睿旗舰处理器超频实战

博主:投稿投稿 2023-09-23 11:15:02 127 0条评论
摘要: Intel第十一代酷睿已经正式上市,旗舰款酷睿i9 11900K在单核性能方面的提升非常明显,再次拿下了单核性能之王的称号,同时第十一代酷睿在超频方面也加入了更多可选项,让玩家超频...

Intel第十一代酷睿已经正式上市,旗舰款酷睿i9 11900K在单核性能方面的提升非常明显,再次拿下了单核性能之王的称号,同时第十一代酷睿在超频方面也加入了更多可选项,让玩家超频更加方便。另外,内存控制器的改进对高频内存的支持更加友好,内存超频也不再是难事,那么具体到超频实战上,主板方面又该如何设置呢?

CPU超频功能更丰富,内存实现高频更容易

作为14nm制程工艺最终章出现的Intel第十一代酷睿处理器,除了旗舰款酷睿i9 11900K在核心规模上从上代10900K的10核缩减到了8核,整体规格方面还是有比较明显的提升的。全新的Cypress Cove架构和新一代Xe核显的加入,让第十一代酷睿的核心面积再次增大,细心的玩家对比这两代处理器的顶盖面积,可以很明显的发现第十一代酷睿的顶盖面积更大,这意味着其核心面积比上一代更大,但受限于14nm制程工艺的限制,不可能无限的增大核心面积,核心数量上的缩减也是理所当然的了。

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虽然核心面积变大,但对于散热来说其实是一个好消息,毕竟更大的接触面积可以更快的带走热量,实现更好的散热效果。所以我们可以看到,在未解锁功耗时(即PL1为125W),酷睿i9 11900K无论是游戏还是考机温度都不高,在360水冷的支持下,其在游戏中的温度通常仅60℃左右,即使是考机也不会高出多少。但对于超频来说,必然会解锁功耗,而解锁功耗后酷睿i9 11900K无论是功耗还是温度表现都有些难以控制,毕竟14nm的极限已经差不多被压榨完了。

第十一代酷睿功耗上的增加,势必会对主板的供电造成更大的压力。从中高端旗舰Z590主板来看,VRM供电区的设计再次得到了增强,更多的MOSFET相数、能承载更高电流的MOSFET已经成为了标配。我们也可以看到,这一代Z590次旗舰主板的供电设计往往都已经持平或者强于上一代Z490的旗舰主板,加强的供电设计,不但能更好的保证处理器日常高负荷下使用的稳定性,同样也为超频玩家提供了更强有力的保障。

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超频一直都是Intel玩家比较钟爱的操作,每一代酷睿处理器在超频功能方面都有所改进和提升。第十一代酷睿则支持开关AVX功能,以帮助玩家获得更好的频率提升。同时还有AVX2/AVX512 offset与Voltage Guard-Band Override,超频玩家可以进一步细调压榨处理器性能极限。同时,在上代的基础上,第十一代酷睿还支持单独开关单核核心的超线程功能、对每个核心进行单独的电压/频率的微调等,玩家可以操作的空间更大,对于熟悉超频的玩家来说,可以籍此获得更好的超频成绩。

不过这些细致的微调操作,都需要有丰富的BIOS选项和过硬的BIOS调校来支持,这也就是为什么超频玩家更愿意选择大厂旗舰主板的原因。虽然同为Z590主板,很多二三线品牌的产品虽然有时候也会通过“堆料”来提升主板的整体品质,但因为BIOS设计功底不足,往往不适合用于超频,也就是这个道理。而入门级的Z590主板,往往在用料上就已经无法保证旗舰处理器的性能释放,就不用提超频的事了。

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另外,第十一代酷睿在内存超频方面的改进较多,不但开放了B560和H570的内存超频支持,同时还新增了一个Gear2模式,也就是内存控制器频率和内存频率可以1:2分频,这样就大大的提升了高频内存的兼容性和超频能力,相比处理器超频来说,内存超频对普通玩家来说更好操作,成功率更高,也更值得尝试。当然,具体的内存超频能力,还是和主板的内存布线、用料、BIOS设计等有较大的关系,中高端旗舰主板的内存超频能力往往更强。

总的来说,Intel第十一代酷睿在频率和功耗方面有所提升,还改进了内存超频能力,所以对主板的供电、布线、BIOS设计等方面都有了更高的要求。玩家们如果有超频方面的需求,那么选择中高端旗舰Z590主板更加合适。

16组90A供电, ROG Maximus XIII Hero整体再度加强

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参考售价:4399元

ROG Maximus Hero是ROG Maximus系列中针对中高端玩家的爆款产品。整体风格和上一代的ROG Maximus XII Hero比较接近,VRM区散热装甲上的ROG信仰LOGO有较大的改动,显得更加硬核。可以明显地看出无论是VRM区散热片还是整体的散热装甲都变得更加厚实,进一步加强了散热能力,以应对第十一代酷睿旗舰处理器高负荷运行时主板VRM区的散热压力。

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供电部分,ROG Maximus XIII Hero搭载了14 + 2组供电模组,MOSFET从上一代的60A升级到了可承载90A的TI CSD95410RRB Dr.Mos。在典型状态下,整个供电模组就可以承载超过1000W的功耗,整体的供电能力得到了大幅增强。之前的8PIN+4PIN供电接口也升级到了8PIN+8PIN PROCOOL II实心接针供电接口。总体来看,该主板的供电设计方面,已经和上代旗舰ROG M12E几乎持平,应对日常使用和超频都有比较不错的表现。

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散热装甲规模大幅升级,足以压制第十一代酷睿的高功耗

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内存方面,ROG Maximus XIII Hero搭载了OPTIMEM III第三代内存优化设计,可以支持高达DDR4 5333MHz (OC)的超高频内存,而上代旗舰ROG M12E也仅能支持到DDR 4800MHz,相比之下,ROG这一代的次旗舰主板在内存支持方面表现会更好。这一代的内存部分采用了Daisy Chain菊链分布设计,能够确保处理器的信号直接传输到DIMM A2和B2,提升超频能力。

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存储部分,这次ROG Maximus XIII Hero直接配备了4个NVMe M.2插槽,其中两个为PCIe 4.0,2个为PCIe 3.0。PCIe4.0的M.2插槽需要Intel第十一代酷睿处理器提供支持。NVMe M.2插槽上覆盖了巨大的散热片,甚至比部分入门级的主板VRM区散热片规模还大。而且这一代的SSD插槽不但有上方的散热片,同时还有配备了新的M.2背板散热片,可以全方位的解决PCIe4.0 SSD的巨大发热问题,带来稳定的高速读写体验。

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此外,ROG Maximus XIII Hero的板载音频已升级至SupremeFX ALC4082音频编解码器,并搭载了专用的ESS SABRE9018Q2C DAC,游戏音效提升到了更高的水平,可以为玩家提供了身临其境的游戏体验。I/O背板部分采用了ROG专利一体化I/O挡板设计,拥有6个USB3.2 Gen2(Type-A)和2个USB2.0(Type-A),另外还搭载了2个2 x Thunderbolt 4接口(Type-C)。网络部分,它搭载了Intel Wi Fi 6E AX210无线网卡和双Intel I225-V 2.5Gbps有线网卡。

在硬件规格提升的同时,ROG Maximus XIII Hero进一步强化了AI功能,搭载了全新的AI智能超频、AI智能散热、AI智能网络和双向AI降噪四项独家AI 2.0智能技术。能够帮助玩家更加轻松简单的超频,同时还能进一步提升玩家的网络和游戏应用体验。

实战超频,内存超频轻松简单

测试平台

处理器:Intel酷睿i9 11900K

散热器:ROG Strix LC 360 RGB White Edition

内存:金士顿HyperX 掠食者系列骇客神条DDR4 4800 8GB×2

威刚XPG-D50龙耀系列DDR4 3600 8GB×2

芝奇皇家戟DDR4 4600 8G×2

主板:ROG MAXIMUS XIII HERO(WIFI)

显卡:ROG-STRIX-RTX3090-O24G-GAMING

硬盘:WD_BLACK PCIe4.0 SN850

电源:ROG雷神1200W

操作系统:Windows 10 64bit 专业版 20H2

除了有强劲的硬件,良好的BIOS设计也是超频成功的关键。ROG系列主板的BIOS在超频玩家中的口碑一直都比较不错,详细丰富的设置选项和清晰友好的界面能够让玩家们超频时事半功倍。本次超频测试,我们已经升级到了最新的0705版BIOS。

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进入ROG Maximus XIII Hero主板的BIOS后,我们可以在左侧界面中看到主板对当前处理器和散热器的AI评分。我们这颗酷睿i9 11900K的评分为83分,体质表现一般,对于想要进行极限超频的玩家来说,选择一颗评分在90分甚至100分以上的处理器,会让超频变得更加顺利。同时也可以看到我们使用的这款散热器的评分为215分,在一体式360水冷中已经处于第一梯队了。

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对于没有超频需求,但又想获得更高性能的玩家来说,可以直接在ROG Maximus XIII Hero的BIOS中将“华硕多核心增强”开启,这样会解除处理器的部分限制(如将PL1从125W解锁到更高200W以上),长时间高负载运行时多核心的性能表现会更好。

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对于简单超频的玩家来说,除了设置倍频和电压这两个常规参数外,还可以打开ROG主板的防掉压设置,保证超频后拥有足够的稳定性,一般开到LV4级即可。

由于第十一代酷睿i9 11900K支持全新的ABT技术,全核心频率可以跑在5.1GHz上,再开启华硕多核心增强后,PL1会解锁到250W以上,在使用360一体式水冷式,考机温度就可以接近90℃,所以解锁后功耗的表现还是有些不好控制,对于普通超频玩家来说,已经很难在常规水冷环境下实现较高的频率提升了。

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我们将手中的这颗酷睿i9 11900K设定在了全核心5.2GHz,通过了考机和跑分测试,此时的Cinebench R20多核得分已经超过了6300分,但功耗也超过了300W,温度更是在100℃左右徘徊,很显然,散热条件已经不允许我们进行更高频率的尝试。如果想要进一步提升频率,则需要用到半导体制冷或压缩机制冷这样的更为强劲的主动散热了。

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ROG M13H可以对内存多项小参进行细致的调节

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主板中也内置了多个内存超频预设供玩家直接选用

虽然处理器的超频比较麻烦,但内存超频在这一代上却变得简单了不少。所以我们也选择了三款内存进行了超频测试。测试平台的这款ROG M13H主板上,选择DDR4 3600以上的频率BIOS就会自动设定为Gear 2模式,同时将Command Rate设定为1T。

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威刚XPG-D50龙耀系列DDR4 3600 8GB×2使用了采用海力士颗粒,在XMP下的默认时序为18-20-20-42@1.35V。经过简单的调试,我们将其超频至了4533MHz@19-26-26-46,AIDA64的读写测试成绩提升到了65000MB/s左右,延迟则为55.6ns。

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芝奇皇家戟DDR4 4600 8G×2使用了海力士颗粒,在XMP下的默认时序为18-25-25-45@1.5V。经过简单的调试,我们将其超频至了5143MHz@23-25-25-55,AIDA64的读写测试成绩为72000MB/s左右,延迟则为52.3ns。

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金士顿HyperX 掠食者系列骇客神条DDR4 4800 8GB×2也是海力士颗粒,在XMP下的默认时序为19-26-26-46@1.5V。经过简单的调试,我们将其超频至了5333MHz@22-28-28-55,AIDA64的读写测试成绩为76000MB/s左右,延迟则为50.7ns。

全新的Gear2模式大幅的提升了内存超频的成功率,虽然本次测试没有仔细的进行时序和小参的调节,但总体来看,在ROG M13H主板上进行内存超频还是比较简单和容易的,内存超频能力还是比较不错的。

总结:处理器超频难度大,内存超频将是第十一代酷睿主流

从测试来看,第十一代酷睿i9 11900K在ABT技术的加持下,默认就能跑到5.1GHz的高全核心频率,但也因为其依旧使用了14nm制程工艺,所以在玩家的日常散热条件下,有些难以压制其温度,需要用上更强劲的压缩机或液氮才能实现更高的频率表现。对于普通玩家来说,超频难度还是相对较大的。但全新的内存控制器和Gear2模式下,第十一代酷睿处理器的内存支持表现非常不错,不但原生就能支持到更高的内存频率,同时在内存超频稳定性方面的表现也好于上代产品,玩家们想要将内存超频到更高频率也变得更加轻松。更高的内存频率在部分吃频率的游戏中有更好的表现。当然,要实现这些超频功能,玩家们也还是需要一款做工扎实,用料精良的中高端Z590主板,同时BIOS设计也很重要。想要体验第十一代酷睿旗舰处理器和内存超频的玩家,不妨看看本次测试中所用到的ROG Maximus XIII Hero主板。